Patent of low noise MOSFET for ADC from Sony

ソニーから、イメージセンサ埋め込み ADC 用低ノイズ MOSFET の構造に関する特許が申請されています。

【発明の名称】ＭＯＳ型電界効果トランジスタ、半導体集積回路、固体撮像素子、及び、電子機器
【公開番号】特開2017-69231(P2017-69231A)
【公開日】平成29年4月6日(2017.4.6)

【図17】ＡＤ変換器の出力ノイズデータの累積頻度のプロットグラフ

劇的な低ノイズ化ではありませんが、PD の低ノイズ化と掛け算で効きますので、ソニー製イメージセンサの低ノイズ化（高感度化）は止まらないようです。